钻耐科思DiamNEX近日宣布，公司通过全球首创的“边缘暴露剥离法”，成功实现晶圆级尺寸、超平整、超薄多晶金刚石薄膜的制备。这一技术突破不仅显著提升生产效率，同时有效降低制造成本，为金刚石薄膜在高端制造等领域的规模化应用提供了有力支撑。

       该方法相较传统工艺展现出显著优势，有望加速金刚石薄膜在半导体、光学器件等高性能场景的落地应用。此次技术进展标志着企业在超硬材料研发领域迈入新阶段。